一种在导电基底上自发沉积三维石墨烯的方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310217510.X （22）申请日 2013.06.03 （71）申请人 北京理工大学

地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

（10）申请公布号 CN103265022A

（43）申请公布日 2013.08.28

（72）发明人 曲良体;胡传刚;翟相泉 （74）专利代理机构 北京理工大学专利中心

代理人 杨志兵

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种在导电基底上自发沉积三维石墨烯的方法

（57）摘要

本发明公开了一种在导电基底上自发沉积

三维石墨烯的方法，属于功能材料领域。所述方法步骤如下：第一步：利用氧化剥离石墨法制备得到8～20mg/mL氧化石墨烯溶液；第二步：将8～20mg/mL氧化石墨烯溶液稀释，使氧化石墨烯溶液的浓度为0.5～3mg/mL；第三步：将导电基底放到氧化石墨烯溶液中静置，反应6～12小时后取出导电基底，三维石墨烯沉积在导电基底的表面；第四步：对第三步得到的三维石墨烯直接

进行冷冻干燥或洗涤后再冷冻干燥，得到干燥多孔的功能化的三维石墨烯或纯净的干燥多孔三维石墨烯。所述方法制备过程简单、环境友好，得到的三维石墨烯材料结构呈三维、多孔状，具有比表面积大、柔韧性好的特点。

法律状态

法律状态公告日

2013-08-28 2013-09-25 2015-01-21 2015-10-28

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

专利申请权、专利权的转移

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权利要求说明书

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说明书

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