专利名称：一种薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利发明人：刘净
申请号：CN201910716466.4申请日：20190805公开号：CN110571276A公开日：20191213
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管依次包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层以及源漏极，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素；本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述栅极包括金属阻挡层和导电层栅极，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种，所述钼合金层可以增加导电层与基板的附着性，避免栅极在加工的过程中发生底切现象，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，进而提升显示面板的良率。
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人：黄威
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