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ufo模拟电路习题集2

2020-07-27 来源:小奈知识网
 梁国书 for(;1;) study;

电子技术基础(模拟部分)综合练习题

2010-12-12

一.填空题:(将正确答案填入空白中)

1.N型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素,其多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。P型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素,其多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。

2.为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度 最高 ;基区宽度 最薄 ;集电结结面积 最大 。

3.三极管工作在放大区时,发射结要 正向 偏置,集电结 反向 偏置,工作在饱和区时,发射结要 正向 偏置,集电结 正向 偏置,工作在截止区时,发射结要 反向 偏置,集电结 反向 偏置。

4.工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是 扩散电流 ,流过集电结的电流主要是 漂移电流 。 5.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为 0.04mA ,该管的β值为 49 。 6.某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为 0.05mA ,该管的α值为 0.99 。

7.某三极管工作在放大区时,当IB从20µA增大到40µA,IC从1mA变成2mA。则该管的β约为 50 。

8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于 电流 控制器件。其输入电阻 较低 ;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于 电压 控制器件。其输入电阻 很高 。

9.晶体管的三个工作区是 放大区 , 截止区 , 饱和区 。场效应的三个工作区是 可变电阻区 , 饱和区 , 截止区 。 10.场效应管又称单极型管,是因为 只有一种载流子参与导电 ;半导体三极管又称双极型管,是因为 有两种载流子参与导电 。

11.串联式直流稳压电源是由组成 取样电路 ; 比较放大器 ; 基准电压 和 调整管 。

12.集成运算放大器的内部电路是由 偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级 四部分组成。 13.在一个三级放大电路中,已知Av1=20;Av2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是 共基极 组态;A2是 共射极 组态;A3是 共集电极 组态。

14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成 放大器 ; 反馈网络 ; 稳幅电路 和 选频网络 。

15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入 电流串联负反馈 。 16.PNP三极管基区中的多数载流子是 电子 。少数载流子是 空穴 。 17.对于放大电路,所谓开环是指 放大电路没有反馈支路 。 18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入 电压串联负 反馈。

19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为 0.9V2 。

20.差动放大电路中,共模抑制比KCMR是指 差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值 。 二.选择题

1.电路如图所示,设二极管的正向压降VD=0.6V,则流过二极管的电流ID为( B )。

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(A)0.775mA (B)1.31mA (C)0.55mA (D)1mA

2.电路如图所示,设二极管具有理想特性,已知vi=1.0Sinωt (V),V=2V,则输出vo 的波形如图( a )所示。

3.由稳压管组成的稳压电路如图所示,已知Vi=18V,稳压管DZ1的稳压值为7V,稳压管DZ2的稳压值为6V,稳压管具有理想特性,则输出Vo为( B )。

(A) 13V (B) 1V (C) 6V (D) 7V

4.电路如图(a)~(b)所示,已知vi=20Sinωt (V),稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V,稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V,稳压管的正向压降忽略不计。图(e)所示波形为电路图( b )的输出波形。

5.电路如图所示,该电路的静态电流表达式ICQ=( C )。

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(A)VCCVBE(1)RbRe(B)VCCVBERbReVCCVBE(C)Rb(1)ReVCCVBE (D)Rb(1)Re

6.电路如图所示,已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V,RC=RL=2kΩ,静态工作点ICQ=2mA,VCEQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为 B 。

(A) 6V (B) 5.7V (C) 6.6V (D) 2V

7.电路如图(a)所示,其等效电路如图(b)所示。该电路的电压放大倍数表达式为 B 。

(A)'RLrbe(1)Re'RL(B)'RL'RLrbe(1)Re

(C)rbeRe(D)rbeRe8.电路如图所示,已知晶体管的β=50,VBE=0.6V,rbe=1.5kΩ。该电路的输入电阻Ri为 C 。

(A) 1.36kΩ (B)15kΩ (C) 13.4kΩ ( D ) 1.5kΩ

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9.电路如图所示,C1、C2可视为交流短路,该电路的输出电阻为 D 。

(A) R2//RL (B) R2 (C) R2//RL//(RS//R1)rbe 1(D) R2//

(RS//R1)rbe 1

10.如图所示为一深度负反馈放大电路,所有电容认为对交流短路。该电路的闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi=( C )。

(A) 10 (B) -11 (C) 11 (D) -10

11.电路如图所示,要引入电压并联负反馈,正确的接法是( D )。

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(A)C1接N,C2接P,F接B1; (B)C1接N,C2接P,F接B2; (C)C1接P,C2接N,F接B1; (D)C1接P,C2接N,F接B2。

*12.某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示,其下限频率fL、上限频率fH及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是( B )。

(A) fL=100HZ ,fH=100kHZ , Av=60dB

(B) fL=100HZ ,fH=100kHZ , Av=57dB

(C) fL<100HZ ,fH<100kHZ , Av=60dB

(D) fL>100HZ ,fH>100kHZ , Av=57dB

13.差动放大电路如图所示,已知 |Avd|=100,Avc=0,vi1=10mV,vi2=5mV,则输出电压 |vo| 为( A )。

(A)500mV (B) 200mV (C) 250mV (D) 125mV

14.带有调零电路的差动放大电路如图所示,若输入电压vi1=vi2=0时,输出电压vo=vo1-vo2<0,欲使此时输出电压为0,则应该( D )。

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(A)减小Re (B)增加Re (C)向左移动RW的滑动端 (D)向右移动RW的滑动端

15.电路如图所示,已知电路参数:RS=1kΩ,RC1=RC2=RL=10kΩ,晶体管的β=50,rbe=1.5kΩ。该电路的共模抑制比KCMR=( A )。

(A) 2000 (B) -2000 (C) 1000 (D) -1000

16.由运算放大器组成的电路如图所示,则电流I2=( D )。

(A) 0.5mA (B) 1mA (C) 1.5mA (D) -0.5mA

17.电路如图所示,设A1、A均为理想运算放大器,则输出电压vo=( A )。

(A) 1V (B) -1.5V (C) -1V (D) 1.5V

18.由理想运算放大器组成的电路如图所示,该电路的电压放大倍数 Av=vo/vi=( B ).

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(A) 1 (B) 21 (C) -21 (D) 20

19.积分电路如图所示,运放是理想的。已知:vi1=1V,vi2=-2V。在t=0时开关断开,试问当vo达到6V时,所需的时间t = ( A )秒。

(A) 2 (B) 1.2 (C) 3 (D) 1.5

20.运算放大器组成的放大电路如图所示,运放的饱和电压为±12V 。其电压传输特性如图(b)所示,则电路中的电阻R1应为( B )。

(A) 3kΩ (B) 5kΩ (C) 10kΩ (D) 15kΩ

*21.输入失调电流补偿电路如图所示,已知:IBN=100nA,IBP=75nA,R1=10kΩ, Rf=30kΩ。要求没有输入时,输出为0,则平衡电阻R2的数值约为( D )。

(A) 5kΩ (B) 40kΩ (C) 30kΩ (D) 10kΩ

22.由模拟乘法器和运算放大器组成大电路如图所示,已知vi1>0,则电路的输出与输入关系为( D )。

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(A)vokvi1vi2kvi1(B)vovi2

(C)vovi2

(D)vokvi1kvi1vi223.由运算放大器组成的比较器电路如图所示,设VREF>0,则该电路的电压传输特性为图中的图( C )所示。

(A) (B) (C) (D)

24.比较器电路如图所示,已知Vi1=2V,Vi2=1V,则输出电压VO=( C )。

(A) +12V (B) -12V (C) -6V (D) +6V

25.具有RC串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示,已知Rf =120kΩ,为保证电路起振,R1应满足( D )。

(A) R1>120kΩ (B) R1<120kΩ (C) R1>60kΩ (D) R1<60kΩ

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26.试用相位平衡条件判断如下电路中有可能产生振荡的图是( C )。 (A) a (B) b (C) c (D) a、b、d

27.电路如图所示,设运算放大器为理想的,热敏电阻Rt具有正温度系数。为能起振和稳定振幅,Rf和Rt在电路中的位置以及Rt的最大值分别为( A )。

(A)Rf接虚框1,Rt接虚框2,500Ω (B)Rf接虚框1,Rt接虚框2,2kΩ (C)Rf接虚框2,Rt接虚框1,500Ω (D)Rf接虚框2,Rt接虚框1,2kΩ

28.信号发生器电路如图所示,试指出v01、vo2、vo3的波形是( D )。

(A)v01方波、vo2方波、vo3 三角波 (B)v01方波、vo2锯齿波、vo3 三角波 (C)v01三角波、vo2方波、vo3 锯齿波 (D)v01方波、vo2三角波、vo3 锯齿波

29.如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8Ω。功率管的参数应满足的条件是( A )。

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(A) PCM>5W,ICM>2.5A ,V(BR)CEO>40V (B) PCM>5W,ICM>2.5A ,V(BR)CEO>20V (C) PCM>25W,ICM>2.5A ,V(BR)CEO>40V (D) PCM>25W,ICM>2.5A ,V(BR)CEO>20V

30.带电容滤波的桥式整流电路如图所示,设变压器副边电压v2=24Sinωt(V),负载电阻RL=10Ω。则流过二极管的平均电流ID和二极管承受的最大反向电压VRM约为( B )。

(A) ID=2A,VRM=17V (B)ID=1A,VRM=24V (C) ID=2A,VRM=24V (D)ID=1A,VRM=17V

31.串联式稳压电路如图所示,已知T1的VCE1=5V,T2的VBE2=0.6V,稳压管VZ=5.4V,R1=R2=2kΩ,RW=1kΩ,则变压器的副边电压有效值V2为( B )。

(A) 15V (B) 16.7V (C) 20V (D) 12.5V

32.并联式稳压电路如图所示,已知稳压管稳定电压VZ=8V,最小稳定法电流Izmin=5mA,最大允许电流Izmax=30mA,Vi=22V,RL的变化范围为400~800Ω。限流电阻R的取值范围约为( A )。

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(A) 350~560Ω (B)280~933Ω (C) 560~933Ω (D)280~560Ω

33.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( B )。

(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

34.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( A )。

(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

36.某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( C )。

(A) 增强型N沟道MOS管 (B) 耗尽型N沟道MOS管 (C) 增强型P沟道MOS管 (D) 耗尽型P沟道MOS管

37.甲乙类互补功率放大电路如图所示,图中D1、D2的作用是消除( C )。

(A)饱和失真 (B)截止失真 (C)交越失真 (D)频率失真

38.如图所示功率放大电路,已知VCC=20V,RL=8Ω。该功率放大器的最大输出功率为( D )。

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(E) Pom=25W (F) Pom=50W (G) Pom=15W (H) Pom=6.25W

39.LC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( C )。

(A) (B) (C) (D)

40.RC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件( A、D )。

(A) (B) (C) (D)

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