专利名称:半导体存储器件及其制造方法专利类型:发明专利
发明人:李基硕,李明东,金熙中,金桐,金奉秀,朴硕韩,安佑松,
韩成熙,黄有商
申请号:CN201811091300.X申请日:20180918公开号:CN109524383A公开日:20190326
摘要:一种半导体存储器件包括:衬底,包括有源区;字线,在所述衬底中,并且每个字线沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸;位线结构,分别与有源区相连,并且每个位线结构沿与第一方向相交的第二方向延伸;以及间隔物结构,在所述位线结构中的相应位线结构的侧壁上。每个间隔物结构包括第一间隔物、第二间隔物和第三间隔物。第二间隔物设置在第一间隔物和第三间隔物之间,并且包括由第二间隔物的内表面限定的至少一个空隙。所述第二间隔物的高度大于所述至少一个空隙的高度。
申请人:三星电子株式会社
地址:韩国京畿道
国籍:KR
代理机构:中科专利商标代理有限责任公司
代理人:倪斌
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