（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201920269124.8 （22）申请日 2019.03.04 （71）申请人 南京大学
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
（10）申请公布号 CN209373172U
（43）申请公布日 2019.09.10
（72）发明人 姜校顺;顾佳新;程欣宇;李冠宇;肖敏 （74）专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
代理人 巩克栋
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体
（57）摘要
本实用新型提供一种用于干法蚀刻制备二
氧化硅光学微盘腔的前驱体，所述前驱体包括由硅基底依次叠加的二氧化硅层、非晶硅或氮化硅层以及光刻胶层。通过所述前驱体制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2019-09-10
授权
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权利要求说明书
一种用于干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的前驱体的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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