（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210388740.8 （22）申请日 2012.10.12
（71）申请人 上海华力微电子有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
（10）申请公布号 CN102881578A
（43）申请公布日 2013.01.16
（72）发明人 唐在峰;方超;吕煜坤;张旭昇
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 陆花
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
多晶硅栅极刻蚀方法
（57）摘要
本发明公开了一种多晶硅栅极刻蚀方法，
该方法首先利用光学线宽测量仪测量得到所述掺杂多晶硅部分的厚度及所述未掺杂多晶硅部分的厚度，然后分两步设定不同的参数对所述掺杂多晶硅部分和所述未掺杂多晶硅部分进行刻蚀，并在刻蚀过程中运用先进制程控制系统对每片硅片的所述掺杂多晶硅部分和所述未掺杂多晶硅部分的刻蚀时间进行实时修正。从而解决了根据断面的TEM图片手动测量掺杂多晶硅部分的厚度而带
来的误差，提高了厚度测量的准确性；并解决了由于不同批次硅片在生长上、掺杂工艺上存在差异而导致实际所需的刻蚀时间可能不同的问题；使得每一片硅片的多晶硅栅极的掺杂多晶硅部分和未掺杂多晶硅部分在刻蚀后的形貌基本一致。
法律状态
法律状态公告日
2013-01-16 2013-02-27 2016-05-04
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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