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掺钇铌酸锂晶体及其制备方法[发明专利]

2023-02-19 来源:小奈知识网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:掺钇铌酸锂晶体及其制备方法专利类型:发明专利

发明人:孔勇发,李昕睿,刘宏德,徐培明申请号:CN201210463395.X申请日:20121117公开号:CN102965732A公开日:20130313

摘要:本发明属于非线性光学晶体技术领域,涉及一种掺钇铌酸锂晶体,其特殊之处在于:是在铌酸锂中掺入锡离子Y,其中摩尔比[Li]/[Nb]=0.93~1.41,Y的掺入量摩尔百分比为

0.5~6.0mol%。本发明的有益效果是,本发明提供的掺钇铌酸锂晶体具有掺杂阈值较低,抗光折变能力较强,且易于生长等优点。可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用,具有广泛的市场前景。

申请人:泰山体育产业集团有限公司,南开大学

地址:253600 山东省德州市乐陵市经济开发区泰山体育路1号

国籍:CN

代理机构:济南泉城专利商标事务所

代理人:张贵宾

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