专利名称：用于增强III族氮化物发光器件效率的氮化铝-氧化
铝层
专利类型：发明专利发明人：马振强,K·金
申请号：CN201880064722.X申请日：20181004公开号：CN111183515A公开日：20200519
摘要：提供了具有多量子阱(MQW)二极管结构的发光器件以及制造和使用该器件的方法。该器件在其空穴注入层上包括氮化铝/氧化铝双层。相对于缺少双层或在其空穴注入层上仅包括氧化铝层的器件而言，双层提高了器件的能量效率。
申请人：威斯康星州男校友研究基金会
地址：美国威斯康星州
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：秦晨
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