专利名称：静电放电保护结构及其制程专利类型：发明专利
发明人：柯明道,徐新智,罗文裕申请号：CN03137450.6申请日：20030620公开号：CN1567561A公开日：20050119
摘要：一种静电放电保护结构，包括设置于第一导电型态基底的第一闸极以及第二闸极。复数浓第二导电型态离子掺杂区，分别设置位于第一闸极与第二闸极之间以及第一闸极与第二闸极之间未相邻的另一侧的基底。淡第二导电型态离子ESD布植区是设置于第一闸极与第二闸极之间的基底，具有一开口，使得设置于第一闸极与第二闸极之间的部分浓第二型离子掺杂区直接接触第一导电型态基底。
申请人：矽统科技股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：王一斌
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