5.1 一个点电荷 Q与无穷大导体平面相距为d,如果把它移动到无穷远处,需要作多少功?
解:用镜像法计算。导体面上的感应电荷的影响用镜像电荷来代替,镜像电荷的大小为-Q,位于和原电荷对称的位置。当电荷Q离导体板的距离为x时,电荷Q受到的静电力为
FQ240(2x)2
静电力为引力,要将其移动到无穷远处,必须加一个和静电力相反的外力
fQ22
4(2x)0在移动过程中,外力f所作的功为
Q2Q2 dxdfdxd16x216d00当用外力将电荷Q移动到无穷远处时,同时也要将镜像电荷移动到无穷远处,所以,在整个过程中,外力作的总功为q2/8d0。
也可以用静电能计算。在移动以前,系统的静电能等于两个点电荷之间的相互作用能:
QQQ21111 W2q2q2Q2(Q)4(2d)4(2d)8d1122000移动点电荷Q到无穷远处以后,系统的静电能为零。因此,在这
1
个过程中,外力作功等于系统静电能的增量,即外力作功为q2/8d0。
5.2 一个点电荷放在直角导体内部(如图5-1),求出所有镜像电荷
y 的位置和大小。
解:需要加三个镜像电荷代替 导体面上的感应电荷。在(-a,d)
处,镜像电荷为-q,在(错误!链接无效。)处, 镜像电荷为q,在(a,-d)处,镜
· -q d · a q x ·q ·q 像电荷为-q。 图5-1 5.3 证明:一个点电荷q和一个带有电 荷Q、半径为R的导体球之间的作用力为
Fq40RqQDDRq[] 2222D(DR)
其中D是q到球心的距离(D>R)。
证明:使用镜像法分析。由于导体球不接地,本身又带电Q,必须在导体球内加上两个镜像电荷来等效导体球对球外的影响。在距离球心b=R2/D处,镜像电荷为q'= -Rq/D;在球心处,镜像电荷为
q2QqQRq/D。点电荷
q受导体球的作用力就等于球内两个镜
像电荷对q的作用力,即
RqRqqqqDDF[2][]
4D2(Db)2422D00(DR)2DqQRqQDDRq [] 24222D(DR)0q5.4 两个点电荷+Q和-Q位于一个半径为a的接地导体球的直径的
2
延长线上,分别距离球心D和-D。
(1)证明:镜像电荷构成一电偶极子,位于球心,偶极矩为2a3Q/D2。 (2)令Q和D分别趋于无穷,同时保持Q/D2不变,计算球外的电场。
解:(1)使用导体球面的镜像法叠加原理分析。在球内应该加上两个镜像电荷:一个是Q在球面上的镜像电荷,q1 = -aQ/D,距离球心b=a2/D;第二个是-Q在球面上的镜像电荷,q2 = aQ/D,距离球心b1=-a2/D。当距离较大时,镜像电荷间的距离很小,等效为一个电偶极子,电偶极矩为
2a3Qpq(bb) 112D(2)球外任意点的电场等于四个点电荷产生的电场的叠加。设+Q和-Q位于坐标z轴上,当Q和D分别趋于无穷,同时保持Q/D2不变时,由+Q和-Q在空间产生的电场相当于均匀平板电容器的电场,是一个均匀场。均匀场的大小为2Q/40D,方向在-ez。由镜像电荷产生的电场可以由电偶极子的公式计算:
EP4r302 (e2cosesin)r2a3Q (e2cosesin)r4r3D20
5.5 接地无限大导体平板上有一个半径为a的半球形突起,在点(0,
3
0,d)处有一个点电荷q(如图5-5),求导体上方的电位。 解:计算导体上方的电位时,要保持 导体平板部分和半球部分的电位都为 零。先找平面导体的镜像电荷q1 = -q, 位于(0,0,-d)处。再找球面镜像 电荷q2 = -aq/d,位于(0,0,b)处, b= a/d。当叠加这两个镜像电荷和原电
2
z d ·q a b· q 2 · q-b· 3
-d· q 1
荷共同产生的电位时,在导体平面上和 图5-5
球面上都不为零,应当在球内再加上一个镜像电荷q 3 =aq/d,位于(0,0,-b)处。这时,三个镜像电荷和原电荷共同产生的电位在导体平面和球面上都为零。而且三个镜像电荷在要计算的区域以外。
导体上方的电位为四个点电荷的叠加,即
qqq1(123)
4Rrrr1230q其中
1R[xy(zd)]2
2221r[xy(zd)]2 12221r[xy(zb)]2 22221r[xy(zb)]2 32225.6 求截面为矩形的无限长区域(0 (x,0)(x,b)0 (0,y)0 U0y,b(a,y)U(1y),0b0yb2ybb2 解:由边界条件(x,0)(x,b)0知,方程的基本解在y方向应该为周期函数,且仅仅取正弦函数,即 Ysinkynn(knb) n在x方向,考虑到是有限区域,选取双曲正弦和双曲余弦函数,使用边界条件(0,y)0,得出仅仅选取双曲正弦函数,即 Xshnnbx 将基本解进行线性组合,得 nx Cshsinbn1nnx bnx b待定常数由x=a处的边界条件确定,即 nx(a,y)Cshsinnbn1使用正弦函数的正交归一性质,有 bnybCsh0(a,y)sindy 2nbbnaUbU0ynyb2nybnyb0sindy[()sinycos]2 02bbbnbnb0 5 nb2n0b2[()sincos] bn22n2bUUbnynybnyb0b2bU(1)sindyUcos[()sinycos]bbb0bbbbnbnb0n222ynyUb2n00b U(cosncos)()sinbcosn2bn2bn0nbnU Un0bbcosbn22 化简以后得 bnabnb(a,y)sinnydy= Csh02Usin2nbb20n22求出系数,代入电位表达式,得 nsin4Unynx 02sinshbbn1n22sinnab5.7一个截面如图5-7所示的长槽,向y方向无限延伸,两则的电位是零,槽内y→∞,φ→0,底部的电位为 (x,0)U 0y 求槽内的电位。 解:由于在x=0和x=a两个边界的 电位为零,故在x方向选取周期解, 且仅仅取正弦函数,即 φ=U0 a φ=0 φ=0 Xsinkxnnn(k) 图5-7 anx 在y方向,区域包含无穷远处,故选取指数函数,在y→∞时,电位趋于零,所以选取由基本解的叠加构成电位的表示式为 6 kyYen n由基本解的叠加构成电位的表示式为 nxCsinenan1nya 待定系数由y=0的边界条件确定。在电位表示式中,令y=0,得 nx UCsina0n1n C0aUsin0dx(1cosn) 0ann2anxaU4U当n为奇数时,Cn0,当n为偶数时,C0。最后,电位的解n0为 n1,3,54U0nxaenyansin 5.7 若上题的底部的电位为 3x (x,0)Usin0a重新求槽内的电位。 解:同上题,在x方向选取正弦函数,即Xsinkx(knnnna),在y ky方向选取Yen。 n由基本解的叠加构成电位的表示式为 nxCsinenan1nya 7 将y=0的电位代入,得 nx UsinCsina0an1n3x应用正弦级数展开的唯一性,可以得到n=3时,CC,其余系数 30C0,所以 0 3y3xaUsine0a 5.9 一个矩形导体槽由两部分构成,如图5-9所示,两个导体板的电位分别是U0和零,求槽内的电位。 解:将原问题的电位看成是两个电 位的叠加。一个电位与平行板电容 器的电位相同(上板电位为U0,下 板电位为零),另一个电位为U,即 Uy φ=U0 a a2 φ=U0 x 0yU 图a5-9 其中,U满足拉普拉斯方程,其边界条件为 y=0 , U=0 y=a , U=0 x=0时, Uy0U(0,y)aUy0U0a,Uy0,aa2ya a20yx→∞时,电位U应该趋于零。U的形式解为 8 nxnyUCsinea an1n待定系数用x=0的条件确定。 U(0,y)UCsinn1nnya aaU(0,y)sinnydy C02na a02UyUnynyanya00a2sindy[()sinycos]2 aaanana0a2na2n0 [()sincos] an22n2U y ny aUanynynya a0a2aU(1)sindyUcos[()sinycos]aaa0aaaanana0n222Ua2n00a U(cosncos)()sinacosn2an2an0nanU Un0aacosan22 化简以后,得到 Uanyna C0U(0,y)sindy=0cos 2nan2a只有偶数项的系数不为零。将系数求出,代入电位的表达式,得 2Unynxn00 ycossinea2aan2,4,nU5.10 将一个半径为a的无限长导体管平分成两半,两部分之间互相绝缘,上半(0<Ф<π)接电压U0,下半(π<Ф<2π)电位为零, 9 如图5-10,求管内的电位。 解:圆柱坐标的通解为 (r,)(AB)(ClnrD)rn(AcosnBsinn) 0000nnn1r-n(CcosnDsinn) nnn1由于柱内电位在r=0点为有限值, 通解中不能有lnr和r -n项,即有 C0,D0,C0(n1,2,) nn0φ=U0 r · φ x 柱内电位是角度的周期函数,A0=0。 φ=0 因此,该题的通解取为 图5-10 (r,)BDrn(AcosnBsinn) 00n1nn各项系数用r=a处的边界条件来定。 U,0n (a,)BDb(AcosnBsinn)000n1nn0,22(a,)d0 BD020021U12naA0(a,)cosd0nU1n2(a,)sind0(1cosn) aB0nn 柱内的电位为 122UU001rn()sinn nan1,3,5 10 5.11 半径为无穷长的圆柱面上,有密度为ss0cos的面电荷, 求圆柱面内、外的电位。 解:由于面电荷是余弦分布,所以柱内、外的电位也是角度的偶函数。柱外的电位不应有rn项。柱内、外的电位也不应有对数项,且是角 度的周期函数。故柱内电位选为 1A0rnAcosn n1n柱外电位选为 2C0rnCcosn n1n假定无穷远处的电位为零,定出系数C00。 在界面r=a上, 12 20r10rs0cos 即 A0anAncosnanCcosn n1n1n 0nan1Ccosnnan1Ancosnn1n0n1s0cos解之得 a2 Ass000, A102, C12, 0 An0, Cn0(n1) 11 最后的电位为 s0rcos,20a2s02rcos,0ra ra5.12 将一个半径为a的导体球置于均匀电场E0中,求球外的电位、电场。 解:采用球坐标求解。设均匀电场沿 正z方向,并设原点为电位零点(如 图5-12)。因球面是等位面,所以在 r=a处,φ=0;在r→∞处,电位应是 φ=-E0rcosθ。球坐标中电位通解具 图5-12 有如下形式: nn1(r,)(ArBr)P(cos) nnnn0E0 θ z r · 用无穷远处的边界条件r→∞及φ=-E0rcosθ,得到, A1=-E0 ,其余An=0。 再使用球面上(r=a)的边界条件: n1(a,)EacosBaP(cos)0 0nn0n上式可以改写为 n1EacosBaP(cos) 0nn0n因为勒让德多项式是完备的,即将任意的函数展开成勒让德多项式的 12 系数是惟一的,比较上式左右两边,并注意P(cos)cos,得 1EaBa012,即BEa3,其余的B0。故导体球外电位为 10n (1a3r3)Ercos 0电场强度为 EE(1)cos r3r0ra32a3 EE(1)sin r0r35.13 将半径为a、介电常数为ε的无限长介质圆柱放置于均匀电场E0中,设E0沿x方向,柱的轴沿z轴,柱外为空气,如图5-13,求任意点的电位、电场。 解:选取原点为电位参考点,用21 r · x 表示柱内电位,表示柱外电位。 在r→∞处,电位因几何结构和场分 E0 Ф ε0 ε 布关于y=0平面对称,故电位表示 图5-13 式中不应有的正弦项。令 nnA(ArBr)cosn 0n1nn1nnC(CrDr)cosn 0n1nn2 因在原点处电位为零,定出A0=0,Bn=0。用无穷远处边界条件r→∞ 13 及=-E0rcosФ,定出C1=-E0,其余C0=0。这样,柱内、外电位简化 2为 nArcosn 1n1n n CrcosDrcosn 12n1n12,再用介质柱和空气界面(r=a)的边界条件=及r0r12得 n1nAacosnEacosDancosn0n1nn1n nAan1cosnEcosnDan1cosnn00n10n比较左右n=1的系数,得 DD1EA1E,A 221a010a00解之得 200AE,DEa 1010002比较系数方程左右n>1的各项,得 nnA0,A0 na2nn0a2nDD由此解出AD0。最终得到圆柱内、外的电位分别是 nn 14 20aErcos,ErcosEcos 10200r0002电场强度分别为 00EEcoseEsine 110r00022 22a00aEEcos(1)eEsin(1)e r2rr22200005.14 在均匀电场中,设置一个半径为a的介质球,若电场的方向沿z轴,求介质球内、外的电位、电场(介质球的介电常数为ε,球外为空气)。 解:设球内、外电位解的形式分别为 nn1(ArBr)P(cosn)1n0nnnnn1(CrDr)P(cosn) 2n0nnn 选取球心处为电位的参考点,则球内电位的系数中A0,B0. 0n在r→∞处,电位Ercos,则球外电位系数C中,仅仅C不 20n1为零,CE10,其余为零。因此,球内、外解的形式可分别简化为 n(ArP(cosn)1n0nnn1ErcosDrP(cosn) 20nn0n 2再用介质球面(r=a)的边界条件=及1,得 r0r12 15 n1nAaP(cosn)EacosDan1P(cosn)n0nn1nn1nn1nAaP(cosn)Ecos(n1)Dan2P(cosn)nn00nnn10比较上式的系数,可以知道,除了n=1以外,系数A且 AaEaDa1012,AE2Da10001n、Dn均为零, 3 由此,解出系数 300AE,DEa 120120003最后得到电位、电场: 300aErcos,ErcosEcos 1022002r2000E11230Ecose0r23Esine 03 00 33a00aEEcos(12)eEsin(1)e 2r3r2r3220000 16 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容