专利名称：一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚专利类型：发明专利
发明人：陈若富,石国柱,沈爱花申请号：CN201811109294.6申请日：20180921公开号：CN109023504A公开日：20181218
摘要：本发明提供一种生长CsI(Tl)晶体的石英坩埚，属于核检测、国土安全、军事领域。本发明按照晶体生长方法中的自然淘汰原理，对晶体生长所用的石英坩埚的底部形状和整体外形进行整体设计，得到外部尺寸和内部尺寸都有特殊要求的大尺寸石英坩埚。本发明与传统方式相比，生产出的大尺寸CsI(Tl)/CsI闪烁晶体，成品率/良品率较高，与其他厂商使用的在坩埚内部喷涂一层特殊材料相比，方法工艺相对简单，成本较低。
申请人：中国科学院近代物理研究所
地址：730000 甘肃省兰州市城关区南昌路509号5号楼
国籍：CN
代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：夏艳
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