《模拟电子技术基础》-

《模拟电子技术基础》复习资料

一、填空题

1.杂质半导体有 P 型和 N 型之分。

2. PN结加正向电压，是指电源的正极接 P区，电源的负极接 N 区，这种接法叫 正向偏置 。

3.二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”， 锗管约为0.1V , 硅管约为 0.5V 。

4.二极管的类型按材料分 硅二极管 和 锗二极管 。

5.单相半波整流电路中，利用二极管的 单向导电 特性，可以将正弦交流电变成单方向脉动的直流电。

6.限幅电路限制了 输出 电压的幅度，是 二极管 在起主要作用。 7.硅稳压二极管主要工作在 反向击穿 区。

8.PN结的基本特性是_单向导电性__，它是_扩散___运动与漂移运动达到动态平衡的结果。 9.二极管的正向电阻愈__小_愈好；反向电阻愈__大_愈好。

10.二极管的伏安特性与温度有无关系? 答__有__，其伏安特性方程为__ I=Is（e11.三极管的工作原理是用_电流___来控制电流。

12.三极管的外部工作条件是__发射结正偏__和__集电结反偏__。

13.在三极管三种基本放大电路中，放大倍数相位相差180的电路是__共发射极放大电路__。 14.共基极放大电路主要用于__高频、宽频和恒流源电路__。 15.场效应管的工作原理是用电压来控制__电流__。 16.电压放大倍数的大小与频率有无关系? 答__有__。

17.在信号的运算放大电路中，引入了__虚短__和__虚断__两个基本概念，它们是信号运算放大的理论基础。

18.半导体可分为__ P _和__N _。

19.判断二极管质量的好坏的方法为: __正向电阻小和反向电阻大____。

20.二极管的伏安特性与温度有无关系? 答___有_，三极管的原理是用____基极电流来控制___集电极_电流。

21.三极管的工作时发射结___正偏_，集电结__反偏__。，

1

0

V/VT

-1）__。

22.在三极管三种基本放大电路中，共发射极放大倍数相位相差_180___，共集电极放大倍数值_小于1___。

23.共基极放大电路主要用于__高频、宽频和恒流源电路__；_共集电极放大电路___放大电路主要用于输入级、输出级和缓冲级。

24.场效应管的工作原理是电压利用__电场效应__来控制__电流__。

25.三极管的电压放大倍数用分贝作单位时，常称为_增益___。电压放大倍数的大小与频率有无关系? 答___有_。

26.集成运放电路的输入级方式其优点是__抑制零点漂移__，通常采用__差动输入__。 27.在信号的运算放大电路中，引入了__虚短，和虚断两个基本概念，它们是信号运算放大的理论基础。

28.在有正反馈的放大电路中，其闭环电压放大倍数表达式为AF=A/（1-AF）____。振荡电路中起振荡条件为___ AF﹥1_。

29.在直流电源中，通常用__二极管__来整流，用___桥式_电路方式来整流。 30.直流电流中利用____变压器，来降压，利用电容的_充放电 ___来滤波。

由于静态工作电Q位置偏高可能产生_饱和失真___失真、静态工作电Q位置偏低可能产生__截止失真__失真。

31.N型半导体中多数载流子是﹍自由电子，P型半导体中多数载流子是﹍空穴﹍﹍，PN结具有﹍单向导电﹍特性。

32.发射结﹍正向 偏置，集电结正向﹍偏置，则三极管处于饱和状态。

33.当Ugs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍耗尽 型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍增强﹍型场效应管。

34.两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为20 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为46dB。

35.差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为0.01 V，共模输入电压Uic为1.99V。

36.集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区，在比较器中工作在﹍非线性区。 37.在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈，降低输出电阻应引入电压负反馈。 38.直流稳压电源一般由 变压器 、 整流器 、 滤波器 和 稳压器 组成。 39.稳压电源的主要技术指标包括 特性指标 和 质量指标 。

40.纹波电压是指 稳压电路输出端中含有交流成分量，通常用有效值或峰值表示 。

2

0

41. 串联型稳压电源中RP的作用是 取样 , R2的作用是 限流 ,V3的作用是 给V2提供基准电压 。

(UZUBE2)42.串联型稳压电源输出电压调整范围表达式是

R3RRPR4RRPR4~

R3RRP1R(UZUBE2)4 。

43. W78XX系列三端稳压器各脚功能是: ① 脚 输入 ; ②脚 输出 ; ③脚 公共端 。 44.占空比是指

Ton/T （闭合时间/周期） 。

45.开关电源的类型按不同的控制方式划分为 固定频率调宽式 和 固定脉宽调频式 。 所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成开断。

46.为了提高三极管放大电路输入电阻，采用串联负反馈。稳定输出电流，采用电流负反馈。 47.甲乙类互补功率放大器，可以消除乙类 类互补功率交越 失真。 48.用低频信号去改变高频信号的幅度 称为调幅，高频信号称为载波信号。 49.振荡电路的平衡条件是AF=1，正反馈才能保证振荡电路的相位平衡条件。 50.扩展运动形成的电流是正向电流，漂移运动形成的电流是 反向。

二、单项选择题

1.整流滤波得到的电压在负载变化时，是 （B） 的。 A. 稳定 B. 不稳定 C. 不一定

2. 稳压电路就是当电网电压波动、 负载和温度发生变化时, 使输出电压（A） 的电路。 A. 恒定 B. 基本不变

3. 并联型稳压电路指稳压元件与负载 （B） 。 A. 串联 B. 并联 4. 稳压电源的主要技术指标是

A） 。

A. 特性与质量指标 B. 输出电流与电压 C. 稳压和温度系数 5.W78XX系列和W79XX系列引脚对应关系应为 （B） 。

A. 一致 B. ①脚与③脚对调, ②脚不变 C. ①、 ②脚对调

3

6.三端稳压电源输出负电压并可调的是 （B） 。 A. CW79XX系列 B. CW337系列 C. CW317系列 7.串联型开关稳压电源中, （A） 。

A. 开关管截止时, 续流二极管提供的电流方向和开关管导通时一样 B. 开关管和续流二极管同时导通 8.半导体中的两种载流子是__ C __。

A.电子和受主离子 B. 空穴和施主离子 C. 电子和空穴 9.在本征半导体中，电子浓度__ B ___空穴浓度 A.大于 B.等于 C. 小于

10三极管工作时内部载流子主要运动过程没有__ C __。 A.复合和扩散 B.发射 C.漂移 D.收集 11.稳压二极管工作在__ C __状态下，才能稳定电压。 A.正向导通 B.反向截止 C. 反向击穿 12.理想运放电路有以下__ A __相关的主要技术指标。 A. AVO=∞ B. Ri=0 C. Ro=∞ D.BW=0 13.二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随电流增大而__ A __。 A. 增大 B.减小

14.当温度升高时，三极管的输入特性曲线将__ B __。 A.左移 B. 右移 C.不变 15.三极管中的β与α关系为_ B ___。 A. β≈α B. β=α/（1-α）

16.在三极管三种基本放大电路中，能在高频、宽频或恒流源电路中放大的电路是___ B _。 A.共发射极放大电路 B.共基极放大电路 C.共集电极放大电路 17.二极管的最高工作电压是100V，它的击穿电压为__ D __。 A.50V B.100V C.150V D.200V

18.对恒流源而言，下列说法不正确的为（ D ）。 A．可以用作偏置电路 B．可以用作有源负载 C．交流电阻很大 D．直流电阻很大 19.杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴

4

20.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 21.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（ C ）。 A. 晶体管的非线性 B. 电阻阻值有误差 C. 晶体管参数受温度影响 D. 静态工作点设计不当 22.图示电路（ B ）。

A．为串联型晶体振荡电路，晶体用作电感 B．为并联型晶体振荡电路，晶体用作电感 C．为并联型晶体振荡电路，晶体用作电容 D．为串联型晶体振荡电路，晶体用作电容 23.负反馈能抑制（ B ）。 A. 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声

24.PN结形成后，空间电荷区由（ B ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 25.图示电路中，欲增大UCEQ，可以（ C ）。

A. 增大Rc B. 增大RL C. 增大RB1 D. 增大

5

26.希望抑制50Hz的交流电源干扰，应选用中心频率为50Hz的 D 滤波电路。 A．高通 B．低通 C．带通 D．带阻 10、已知变压器二次电压为u2承受的反向峰值电压为（ D ）。

图号3201 2U2sintV，负载电阻为RL，则半波整流电路中二极管

2U2A.U2 B. 0.45U2 C. 2 D. 2U2

27.半导体中的载流子是__ C __。

A. 空穴和受主离子 B. 电子和施主离子 C. 电子和空穴 28.三极管工作时内部载流子主要运动过程没有___C _。 A.复合和扩散 B.发射 C.漂移 D. 收集 29.能够使输出电阻增大的反馈是_ B ___。

A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.并联负反馈 D.串联负反馈 30.稳压二极管工作在__ C __状态下，才能稳定电压。 A.正向导通 B.反向截止 C. 反向击穿 31.理想运放电路有以下_ A ___相关的主要技术指标。 A. AVO=∞ B. Ri=0 C. Ro= ∞ D.BW=0 32.放大电路没有以下__D__相关的主要技术指标。

A.放大倍数 B.输入电阻和输出电阻 C.频率响应 D.线性失真 33. 当温度降低时，三极管的输入特性曲线将__ A __。 A.左移 B. 右移 C.不变 34.三极管中的β与α关系为_ B ___。

A. β≈α B. β=α/（1-α） C. α=β/（1-β）

35.在三极管三种基本放大电路中，能在高频、宽频或恒流源电路中放大的电路是_ B _。

6

A. 共基极放大电路 B. 共集电极放大电路 C. 共发射极放大电路 36.整流的目的是__A __。

A.将交流变直流 B.将正弦波变方波 C.将高频信号变低频信号 37.P型半导体是在本征半导体内掺杂( A )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4

38.稳压管工作于 ( C )状态下，可以稳定电压。

A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 39.三极管放大的外部条件 ( A )。

A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 40.既能放大电压，也能放大电流的电路 ( A )。

A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 41.共模抑制比KCMR越大，表明电路（ C ）。

A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。

42.放大电路中为增大输入电阻应引入（C ）反馈，为稳定输出电压应引入（ A ）反馈，为稳定输出电流应引入（ B ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ A ）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 43.振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ C ）。

A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 44.关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（ D ）。 A. C.

fT0ffTf B.

f(10)fff

D.

45.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。

A．开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞ B. 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0 C. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞ D. 开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0 46.已知变压器二次电压为u2

2U2sintV，负载电阻为RL，则桥式整流电路中二极管承

7

受的反向峰值电压为（ D ）。

2U2A.U2 B. 2U2 C. 0.9U2 D. 2

47.欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（ B ）运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 48.（ C ）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。

A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号 7、图示电路（ B ）

A．等效为PNP管 B．等效为NPN管

C．为复合管，其等效类型不能确定 D．三极管连接错误，不能构成复合管 49.交越失真是（ D ）

A．饱和失真 B．频率失真 C．线性失真 D．非线性失真

50.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用( B )。 A. 共漏电路、共射电路 B. 共源电路、共集电路 C. 共基电路、共漏电路 D. 共源电路、共射电路

三、判断题

1.二极管导通时，内外电场方向一致。 ( × ) 2.硅二极管的死区电压为0.2～0.3V。 ( × ) 3.多级放大电路的电压放大倍数等于各级放大倍数之积。 ( √ ) 4.Uab表示a端的电位小于b端。 ( × ) 5.三极管中，热量主要由发射极产生。 ( √ ) 6.微变等效电路法只能在小信号工作条件下进行等效替代。 ( √ ) 7.二极管的伏安特性曲线表明二极管是非线性的元件。 ( √ ) 8.偏置电阻的作用只是提供放大电路的偏置电压。 ( × ) 9.放大电路的静态是交流信号幅值为零的状态。 ( √ ) 10由于Q的位置不当将可能导致输出波形的失真。 ( × ) 11.雪崩击穿和齐纳击穿的物理过程是一样的。 （ × ）

8

12.集成稳压器78XX系列输出的是正向电压。 （ √ ） 13.稳压稳压二极管中掺杂浓度较普通二极管高。（ √ ） 14.热击穿和电击穿过程都是可逆的。（ ×）

15.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。（ × ） 16.乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（ √ ）

17.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ √ ）

18.某比例运算电路的输出始终只有半周波形，但器件是好的，这可能是运放的电源接法不正确引起的。（ √ ）

19.乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（√ ） 20.各种滤波电路通带放大倍数的数值均可大于1。 （ × ） 21.二极管导通时，内外电场方向相反。 ( × ) 22.硅二极管的死区电压为0.5～0.7V。 ( √ ) 23.多级放大电路的电压放大倍数等于各级放大倍数之和。 ( × ) 24.只要存在有正反馈，则能满足振荡平衡条件，就能产生自激振荡。( × ) 25.三极管中，热量主要由集电极产生。 ( √ ) 26.微变等效电路法可在任何工作条件下进行等效替代。 ( × ) 27.二极管的伏安特性曲线表明二极管是线性的元件。 ( × ) 28.滤波的目的是将低频信号变成高频信号。 ( × ) 29.放大电路的静态是交流信号幅值为零的状态。 ( √ ) 30.由于Q的位置不当将可能导致输出波形的交越失真。 (× ) 31.以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（√） 32.模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（√ ） 33.PN结具有单向导电特性。（√ ）

34.差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（ √ ）

35.交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（√ ）

36.单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（×） 37.直流负反馈不能稳定静态工作点。（×） 38.晶体二极管击穿后立即烧毁。（×）

9

39.采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（×） 40.集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（×）

41.在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ × ） 42.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （√ ） 43.使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ × ） 44.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ √ ） 45.利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。 （ √ ） 46.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ √ ） 47.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （ × ） 48.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ √ ） 49.只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ × ） 50.直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ √ ）

四、简答题

1.分别测得两个放大电路中三极管的各电极电位如图所示, 简答: (1) 三极管的管脚, 并在各电极上注明e、b、c; (2) 是NPN管还是PNP管, 是硅管还是锗管。

①②③①②③(＋3 V)(＋9 V)(＋3.3 V)(－11 V)(－6 V)(－6.7 V)

解：左图中，①是发射极，②是集电极，③是基极；是NPN锗管。 右图中，①是集电极，②是发射极，③是基极；是PNP硅管。

2.在两个放大电路中, 测得三极管各极电流分别如图所示。 求另一个电极的电流,并在图中标出其实际方向及各电极e、b、c。 试分别判断它们是NPN管还是PNP管。

0.1 mA①②4 mA③0.1 mA①②6.1 mA③

10

解：左图中，②号管脚电流为4.1mA，方向为流出；①是基极，②是发射极，③是集电极；是NPN管。

右图中，②号管脚电流为6mA，方向为流出；①是基极，②是集电极， ③是发射极；是PNP管。

3.试根据三极管各电极的实测对地电压数据, 判断图中各三极管的工作区域（放大区、 饱

和区、 截止区）。

8 V－5 V12 V＋10.3 V＋12 V2.7 V3DG100A－0.3 V3AX51C11.3 V3CX201＋10.75 V3DK2B＋2 V3DG56A2 V0 V0 V＋10 V＋12 V(a)(b)(c)(d )(e)解：（a）NPN硅管，VC＞VB＞VE，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态； （b）PNP锗管，VE＞VB＞VC，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态； （c）PNP硅管，VE＞VB＞VC，发射结正偏，集电结反偏，三极管处于放大状态； （d）NPN硅管，VB＞VE，发射结正偏，VB＞VC，集电结正偏，三极管处于饱和状态； （e）NPN硅管，VE＞VB，发射结反偏，VC＞VB，集电结反偏，三极管处于截止状态。

4.简述三极管的输出特性曲线（A），

5.简述石英晶体的等效电路图（B）， iC C C0 L R （B） IB=C 0 uCE （A） 6.简述串联型直流电源结构原理框图。（C）

电压取样 比较放大 调整 稳压 （C） 11

7.简答下列电路反馈类型

+ui-+R1++-+R2+uo-+R４R3

解：∵反馈网络是由R2、R3、R4构成的串并联网络 ∴此反馈是交直流反馈

用瞬时极性法可判断出是负反馈。 8.简答下列电路反馈类型

CR2+R1-+++ui-++uo-+

解：∵反馈网络是由R2、C构成的且C接地 ∴此反馈是直流反馈

用瞬时极性法可判断出是负反馈。 9.简答下列电路反馈类型

+ui-++- ∞+++uo-+

解：∵反馈网络是一根导线 ∴此反馈是交直流反馈

用瞬时极性法可判断出是负反馈。

12

10.简答下列电路反馈类型

CR2+R1 ∞+++ui-++uo-+

解：∵反馈支路是由R2、C串联构成的 ∴此反馈是交流反馈

用瞬时极性法可判断出是负反馈。 11. 简答图示各电路级间反馈极性。

R2-+ui-+R1-+R3∞A1+-+-∞A2+-RLR4+uo-解：采用瞬时极性

法，由下图可判断出极间反馈为负反馈。 12. 简答图示各电路级间反馈极性。

-+-R2+-+∞R４+R1--R3+uiA1+∞+A2+R5R6++uo-

解：采用瞬时极性法，由下图可判断出A1、A2的本极反馈，A1和A2的极间反馈均为负反馈。 13.简答图示电路中的反馈类型。

13

Rf-+ui-++R1-∞A++uo-R2-RL解：1采用瞬时极性法，由

a图可判断出反馈为负反馈；

2输入信号与反馈信号接在同一端子上则为并联反馈； 3将负载断路后反馈量为0，所以为电流反馈；

4为交直流反馈。

14.简答图示电路中的反馈类型。

+ui-+Rl+-∞A+++uo-RLR3+Rf 解：1采用瞬时极性法，由b图可判断出反馈为负反馈； 2输入信号与反馈信号接在不同端子上则为串联反馈； 3将负载断路后反馈量为0，所以为电流反馈； 4为交直流反馈。

15.简答图示电路中的反馈类型。

+uo-RL-+∞

-+ui-+RA+- 解：1采用瞬时极性法，由c图可判断出反馈为负反馈； 2输入信号与反馈信号接在同一端子上则为并联反馈； 3将负载断路后反馈量为0，所以为电流反馈； 4为交直流反馈。

16. 电路如图所示, 试写出uo与ui1和ui2的关系,并求出当ui1=＋1.5 V, ui2＝－０.５Ｖ时

14

－ui1＋∞＋R－R2∞＋uo△△－ui2＋△∞＋R＋uo的值

R2。

ui1R-+∞+Ruo

（a） （b）

解：如图可知，A1的输出就是ui1；A2的输出就是ui2，对于A3来说，当A1单独作用时，可构

成如图（b）所示电路，则有：

u01uR1ui1ui1RR2 R1ui2ui2RR2

同理，当A2单独作用则可有：∵

u02uui11.5V，且ui20.5V

u01u01u0211.50.50.5V22。

∴

17.电路如图所示, 双向稳压管的ＵＺ＝±６ Ｖ, 输入电压为ui=0.5 sinωt Ｖ。试画出uo1、

uo2、uo的波形, 并指出集成运放的工作状态。

Rf20 kR15k uiR310 kuo1C0.1 FR51 kR610 k-+R24 k∞A1+-+R410 k∞A2+uo2-A3++R710 kuoV 15

ui/ V0.5u02/ V600.5t/ ms-60t/ msu01/ V20-2t/ msu03/ V0t/ ms

18.电路如图所示, Ｒf=R1, 试画出比较器的传输特性曲线。

解：图的传输特性曲线为：

+UomUOUREF-UomUi

19.电路如图所示, Ｒf=R1, 试画出比较器的传输特性曲线。

解：图的传输特性曲线为：

+UomUO

1Uom21Uom2Ui-Uom

16

20.电路如图所示,集成运放的最大输出电压是±12Ｖ, 双向稳压管的电压UZ＝±６Ｖ,输入信号ui=12 sinωt V。 试画出在参考电压UREF为３Ｖ和－３Ｖ两种情况下的传输特性曲线和输出电压的波形。

R1R2uiUREF－＋∞R3uoV解：（1）传输特性曲线：

UREF=3V UREF=-3V

Uo6VUo6V△UiA＋

3V-6V-3VUi-6V

(2)输出电压波形：

Ui

3V-3VtUoUREF=3V6Vt-6VUo6VUREF=-3Vt-6V

17

21.电路如图所示,A为理想集成运放，R1=5 kΩ, R2=R3=1 kΩ, 试分析确定在ui=2 V及ui =-2 V时的uo值。

解：此集成运放工作在非线性区， 输出只有两种情况，

ui-+ A+R3uoUi>U，UOUOm Ui输出的最大值和反向最大值应是稳压管的稳压值 又因运放是反向比例运算电路，输入和输出极性相反 所以：

R2R1UZ6Vui=2 V时，uo=－6V ui =－2 V时，uo=＋6V

22.在图示电路中, A为理想运算放大器, 指出它们分别是什么类型的电路;

(a)(b)ui1 k10 k10 k1 k1 kuoui-+A+-+A+1 kuo1 k6V1 k6V解：（a）图是反向比例运算电路，工作在线性区

(b) 图是同向比例运算电路，且工作在非线性区

23. 有一负反馈放大器, 当输入电压为0.1V时,输出电压为2V, 而在开环时, 对于0.1V的输入电压, 其输出电压则有 4 V。试计算其反馈深度和反馈系数。

Af解：∵

u0u24A20A040Afui0.1uid0.11AF 且

F∴反馈系数

AAfAfA40200.0254020

反馈深度为 1AF1400.0252 。

18

第五题、计算与绘图题

1. 限幅电路如图所示，ui=2sinωt，V1、V2均为硅管，导通电压为0.7 V。试根据输入电压波形画出输出电压波形必须考虑二极管的导通电压）。

解：

ui/v0.7V0-0.7Vt/s

2. 电路如图所示， 判断二极管是否导通， 并求输出电压uO（忽略二极管正向导通电压）。

解：（a）二极管导通， （c）二极管导通，

uO6V （b）二极管导通，uO3V uO0V （d）V1截止，V2导通，uO4V

求图示电路的输出电压uO（忽

3.若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为6 V和10 V略二极管正向导通电压）。

19

解：（a）V1与V2串联，V1和V2均加反向电压，

uOUZ1UZ26V10V16V

（b）V1与V2反向串联，V1加正向电压，V2加反向电压， （c）V1与V2并联，V！和V2均加反向电压，

uOUZ110V

uOUZ16V

4. 试画出图中电路的直流通路, 并将电路进行化简。

＋UCCRb1＋＋UCCRbRc＋＋ui－C1Rb2Re＋uo－C1Re＋C2＋＋ui－＋C2＋uo－RLCe(a)(b)

解：（a） 直流通路 交流通路

5. 试画出图中电路的交流通路, 并将电路进行化简。 解：

（b） 直流通路 交流通路

Rb +UCC Re

6.根据图中放大电路的直流通路,计算其静态工作点, 并判断三极管的工作情况。(所需参数

20

如图中标注, 其中NPN型为硅管， PNP型为锗管。)

IBQ解：（a）

UCCUBEQRbUCC24V0.2mARb120k

IBS∴

ICSUCC24V0.48mARc501k

，三极管工作在放大区。

IBQIBSICQIBQ500.2mA10mAUCEQUCCICQRC24V10mA1k14VUBQ（b）

Rb230kUCC24V8VRb1Rb260k30k

IEQUBQUBEQRe

UBQRe8V4mA2k

ICQIEQ4mAIBQICQ4mA50A80

UCEQUCCICQRe24V4mA2k16V∵

UCEQ16V1V ∴三极管工作在放大区

7. 在图所示电路中, 当Rb=400kΩ, Rc=5kΩ,β=60,UCC=12V时, 确定该电路的静态工作点。当调节Rb时, 可改变其静态工作点。 (1) 如果要求ICQ=2 mA,则Rb应为多大？ (2) 如果要求UCEQ=6 V, 则Rb应为多大？

21

IBQ解：当Rb=400kΩ时，

UCCUBEQRb

UCC12V0.03mARb400k

ICQIBQ600.03mA1.8mAUCEQUCCICQRC12V1.8mA5k3V（1）若ICQ=2 mA时，

，放大区

UCEQUCC-ICQRC12V2mA5k2V1V

IBQICQ2mA1mA3060

Rb

UCC12V360kIBQ130mA RC12V6V1.2mA5k

ICQ（2）若UCEQ=6 V时，

UCCUCEQIBQICQ1.2mA0.02mA60

RbUCC12V600kIBQ0.02mA

8. 基本共射放大电路如题7所示, Rb=400 kΩ,Rc=5.1kΩ, β=40, UCC=12V, 三极管为NPN型硅管。

（1）估算静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ; （2）画出其微变等效电路;

（3）估算空载电压放大倍数Au′以及输入、输出电阻ri和ro。 （4）当负载RL=5.1 kΩ时, Au=？

22

IBQ解：（1）

UCCUBEQRbUCC12V0.03mARb400k

ICQIBQ400.03mA1.2mAUCEQUCCICQRC12V1.2mA5.1k5.88V（2）微变等效电路

+ B Ib Ic C + Ui－ Rb rbe RPE RC U o－ Ib

rbe300(1)（3）

26mV26300411.2kIEQmA1.2

AuRc5.1k40170rbe1.2k

4001.21.18k4001.2

riRb//rberoRc5.1k

RRL//Rc2.55k L（4）

RL2.55kAu4085rbe1.2k

9.分压式共射放大电路如图所示,UBEQ=0.7V,β=50,其它参数如图中标注。 (1) 估算静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ; (2) 画出其微变等效电路;

(3) 估算空载电压放大倍数Au′以及输入、输出电阻 ri和ro。 (4) 当在输出端接上RL=2kΩ的负载时, Au=？

23

＋UCCRb120 k＋＋Rc2 k＋12 V＋ui－C1Rb210 k＋C2Ce＋uo－Re2 k

UBQ解：（1）

Rb210kUCC12V4VRb1Rb220k10k

IEQUBQUBEQRe4V-0.7V1.65mA2k

ICQIEQ1.65mAIBQICQ1.65mA33A50

UCEQUCCICQ(RcRe)12V1.65mA4k5.4V（2）微变等效电路

iibRb1rbeibiccRcio+Rb2+ ibui_uo_RL

rbe300(1)（3）

26mV26300511.1kIEQmA1.65

AuRc2k5091rbe1.1k

riRb1//Rb2//rbe1.1k roRc2k

RL1kA5045uRR//R1kr1.1kLcbe(4) L

24

10.某射极输出器的电路如图所示, 已知UCC=12V,Rb=200 kΩ,Re=2kΩ,RL=2kΩ,三极管β=100, rbe=1.2 kΩ。信号源Us=200mV, rs=1kΩ。

(1) 画出放大器的直流通路,并求静态工作点（IBQ、ICQ、 UCEQ）; (2) 画出放大电路的微变等效电路; (3) 计算Au、ri、ro。

＋UCCC1rs1 k＋us－＋ui－Rb200 k＋＋12 Vc＋beRe2 kC2＋uo－RL2 k

解：（1）直流通路

Rb +UCC Re

IBQUCCUBEQRb(1)Re12-0.728A2001012

ICQIBQ10028A2.8mAUCEQUCCIEQRe12V2.8mA2k6.4V（2）微变等效通路

ib+rs+us--cbrbee+Rbui ibReuoRL-

25

rbe300(1)（3）

26mV263001011.2kIEQmA2.8

RLRL//Re1k

Au(1)RLrbe(1)RL10110.991.21011

riRb//rbe(1)RL200//(1.21012)67.6k

roRe//rbe(rs//Rb)1.2(1//200)2//21k1101

11.两级放大电路如图所示,β1=β2=50, UBE1=UBE2=0.6Ｖ，其它参数如图中标注。 (1) 求各级电路的静态工作点; (2) 画出放大电路的微变等效电路； (3) 估算电路总的电压放大倍数Au;

(4) 计算电路总的输入电阻ri和总的输出电阻ro。

＋UCC＋12 VC3＋uo－RL4 k＋Rb136 k＋Rc12 kC1rs＋us－＋ui－＋Rb3400 kC2Rc24 k1＝50Rb212 kRe12.4 k2＝50

解：（1）T1的静态工作点：

UBQ1

Rb212kUCC12V3VRb1Rb236k12k

ICQ1IEQ1UBQ1UBE1Re3V-0.6V1mA2.4kΩ

IBQ1ICQ1β1mA20μA50

UCEQ1UCCICQ1(Rc1Re1)12V1mA2k2.4k7.6VT2的静态工作点：

26

IBQ2UCCUBE212V-0.6V28.5μARb3400kΩ ICQ2βIBQ25028.5μA1.425mA

UCEQ2UCCICQ2RC212V1.425mA4kΩ6.3V （2）微变等效电路

ib1rSic1+Rb2Rb1rbe1Rc1Rb3rbe2Rc2RL+uo-us

+_ui_Re1 ib1 ib2

rbe1300(1β) （3）

26mV26300511.6kΩIEQ1mA1

rbe2300(1β)26mV26300511.2kΩIEQ2mA1.425

21.2RL1Rc1//rbe20.75kΩ21.2 44RL2Rc2//RL2kΩ44 βRL1500.75Au10.3rbe1(1β)Re11.6512.4

Au2RL22kΩβ5083.3rbe21.2kΩ

AuAu1Au20.383.325

（4）

riRb1//Rb2//rbe1(1β)Re18.39k

RC Cb2 VCC roRc24kΩ

12.在放大电路如图（b）所示，若图中 各电阻值、β、Vcc均为己知。试求解： ⑴ 画出该直流通道、交流通道； ⑵ 画出该电路的微变等效电路图； ⑶ 求该电路的Q、AV、Ri、Ro的值。

Rb1 Cb1 RE ui Rb2 uo ce RL 27 图（b）

解答: ⑴ 直流通道（a）(2分)、交流通道（b）(2分)，⑵ 微变等效电路（c），如下图所示。(4分)

⑶ 求该电路的Q、AV、Ri、Ro的值。 在（a）图中：

Rb.IB+VBE+(1+β)IBRE=VCC (1分) 则IB可求。 VCC=ICRC+VCE+IERE

VCE =VCC - βIBRC -（1+β）IBRE 则VCE、γ在（c）图中： Vi= iB γ

be

be

Rb1 RC ic Vcc ib + IB Rc RE B ui _ Rb RL u o图（a） 直流通路电路 图（b） 交流通路 b + ib Rb` ic c + Rc RL + ube _ rbe e βib uce _ - 图（c） 微变等效电路 可求，则Q可求。(1分)

， VO=-βiB（RC//RL） (2分)

be

AV= VO/ Vi= - [β（RC//RL）]/γRi=Rb//γ

(12分)

(2分)

be

在VS=0,RL=∞的情况下：

Ro=RC (2分)

28

13.在放大电路如图（c）所示，若图中各电阻值、β、Vcc均为己知。试求解： ⑴ 画出该直流通道、交流通道；

⑵ 画出该电路的微变等效电路图； ⑶ 求该电路的Q、AV、Ri、Ro的值。

解答: ⑴ 直流通道（a）、交流通道（b），⑵ 微变等效电路（c），如下图所示。

29

Rb RC Rb Cb1 RC Cb2 VCC RE ui uo ce RL 图（c） Vcc ic ib + IB Rc RE B ui _ Rb RL u o图（a） 直流通路电路 图（b） 交流通路 b + ib Rb ic c + Rc RL + ube _ rbe e βib uce _ - 图（c） 微变等效电路

⑶ 求该电路的Q、AV、Ri、Ro的值。 在（a）图中： VCC =IBRb+VBE+IERE

IB=（VCC - VBE）/[Rb+（1+β）RE] 则IB可求， VCC=ICRC+VCE+IERE

VCE =VCC - βIBRC -（1+β）IBRE 则VCE、γ在（c）图中： Vi= iB γ

be

be

可求，则Q可求。

， VO=-βiB（RC//RL）

be

AV= VO/ Vi= - [β（RC//RL）]/γRi=Rb//γ

be

在VS=0,RL=∞的情况下： Ro=RC

14.计算图示的Auf。的值。

+ui-+-RfR1∞+++uo-+U+U-uiRL+uoRf-RL-R2uiR1i1R2i0i2

-i1（a） （b）

解：用瞬时极性法分析可知，此反馈为负反馈，则原电路运用“虚短、虚断”原则可等效变化为图b，则： ∵

uuuiuR1uii1R1i1

∴

uiR1 ①

i0 又∵

u0且i1i2i0RL ，（Rf与R1串联后再与R2并联）

30

i1 ∴

uR2R2i00R1RfR2R1RfR2RL ②

uiuR20RR1RfR2RL

由①②两式可有：1Auf 即：

u0R1RfR2RLuiR2R1。

15.电路如图所示, 已知R1=2 kΩ, Rf=10 kΩ, R2=2 kΩ, R3=18 kΩ, ui=1 V, 求uo的值。

Rf－ui＋∞△＋R1R2∞△－＋＋uo解：∵

uu0uR1Rf

Rfu01R1∴

Rfu1R1R318u1515.4VRRi2032

六、论述题

1.以空穴的运动情况为例， 论述PN结的形成过程。

答:P型半导体是空穴型的半导体，空穴的浓度大于电子的浓度。N型半导体是电子型的半导体，电子的浓度大于空穴的浓度。空穴由浓度高的P型半导体向浓度低的N型半导体扩散。产生扩散运动，形成扩散现象。由于扩散运动就破坏原来的电中性，形成了由N型半导体向P型半导体的内部电场力。在内部电场力的作用下空穴由N型半导体向P型半导体漂移，产生漂移运动，形成漂移现象。当扩散运动的速度与漂移运动的速度达到动态平衡时，空间形成相对稳定的电荷层。即PN结。

2. 论述三极管的输出特性曲线可分为哪几个区? 各区的特点

答: 三极管的输出特性曲线可分为饱和区、放大区、截止区。饱和区发射结正偏，集电结正偏。iC随uCE增大而增大。放大区发射结正偏，集电结反偏。iC随uCE增大而恒定。截止区发射结反偏，集电结反偏。iC随uCE增大而近似为零。 3. 论述负反馈对放大电路的影响。

31

答:提高闭环放大倍数的稳定性，扩展通频带，减少非线性失真，抑制干扰和噪音，改变输入电阻和输出电阻。

4. 以电子的运动情况为例， 简答PN结的形成过程。

答:P型半导体是空穴型的半导体，空穴的浓度大于电子的浓度。N型半导体是电子型的半导体，电子的浓度大于空穴的浓度。电子由浓度高的N型半导体向浓度低的P型半导体扩散。产生扩散运动，形成扩散现象。由于扩散运动就破坏原来的电中性，形成了由N型半导体向P型半导体的内部电场力。在内部电场力的作用下电子由P型半导体向N型半导体漂移，产生漂移运动，形成漂移现象。当扩散运动的速度与漂移运动的速度达到动态平衡时，空间形成相对稳定的电荷层。即PN结。

5. 电源220V、50 Hz的交流电压经降压变压器给桥式整流电容滤波电路供电, 要求输出直流电压为24V, 电流为400 mA。 试选择整流二极管的型号, 变压器次级电压的有效值及滤波电容器的规格。

解答：（1）整流二极管的选择 求通过每个二极管的平均电流为

IV11IO400200mA22 11UO2420V1.21.2

变压器次级电压有效值为

U2得最大反向工作电压为

URM2U228.28V

查手册, 2CZ54B的参数可以满足要求 (2) 选择滤波电容器

C5T50.02833F2RL2(240.4)

电容器耐压为

(1.5~2)U2=(1.5~2)×20=30~40 V 因而确定选用1000μF/50 V的电解电容

32

6．图示为串联型直流稳压电源, 已知2CW13的稳压值UZ=6 V, 各晶体管的UBE取0.3 V。 当电网电压升高或降低时, 试说明上列各点电位的变化趋势和稳压原理。

V1BR3¡«20 V¡«220 VAR4kEC1£«

解： 电网电压下降时

TRP2CW13 V2DV3CR1£«UOR2£D不变VAVB(Uo)(下降趋势)VCVUBE2VE(UB1)RCE1UCE1UOUIUCE1VB(UO)电网电压上升时

D不变VAVB(Uo)(上升趋势)VCVUBE2VE(UB1)RCE1UCE1VB(UO)7.论述图示电路能否产生正弦波振荡, 并说明原因。

＋UCCL1L2＋UCCL1L2＋UCCR1CL1L2R1CR1CCbCbC1R2R3CeR2R3CeR2R3(a)(b)(c)

解：（a）负反馈，不满足相位平衡条件，故该电路不能产生正弦波振荡。 （b）负反馈，不满足相位平衡条件，故该电路不能产生正弦波振荡。 （c）正反馈，满足相位平衡条件，故该电路能产生正弦波振荡。

33

8.判别图示电路能否产生正弦波振荡, 并说明原因。

＋UCCC1C250 k5 mHL320 F0.1 FR2Re＋UCC5 kR1RL＋UCCR1LCbR2L2L1C0.1 F5 k1 k1 F(d)(e)( f )

解：（d）正反馈，满足相位平衡条件，故该电路能产生正弦波振荡。 （e）正反馈，满足相位平衡条件，故该电路能产生正弦波振荡。 （f）正反馈，满足相位平衡条件，故该电路能产生正弦波振荡。

9.试论述下列由集成运放组成的振荡电路能否产生正弦波振荡。 图中的集成运放均为理想运放， C为隔直电容，C1、 C2为谐振回路中的电容。

－＋C1L(a)∞＋C2CuoC2－＋LC1(b)∞＋解：（a）电容三点式LC振荡电路，故该电路能产生正弦波振荡。

（b）不符合三点式LC振荡电路连接规律，故该电路不能产生正弦波振荡。

10.有一负反馈放大器, 其开环增益A=100, 反馈系数F=1/10。论述它的反馈深度和闭环增益的值。

1AF1100解：反馈深度为

闭环增益

AfA10091AF11

△△Cuo

11110

34