专利名称：半导体存储装置及其读出方法专利类型：发明专利发明人：小嶋英充
申请号：CN201711019110.2申请日：20171027公开号：CN108022623A公开日：20180511
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及其读出方法。本发明的快闪存储器包括：存储胞元阵列；页面缓冲器/读出电路，保持存储胞元阵列的选择页面的数据；解码/选择电路，基于列地址，从由页面缓冲器所保持的数据中选择n位数据；以及n位的数据总线，连接于解码/选择电路。解码/选择电路进而基于列地址，将n/2位的偶数地址的数据连接至数据总线的下位，且将n/2位的奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位，进而，在开始地址为奇数地址的情况下，选择奇数地址的数据与所述奇数地址的下个偶数地址的数据。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
国籍：TW
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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