专利名称：一种细化h-BN粉体的制备工艺专利类型：发明专利发明人：温广武,孙志远,王桢申请号：CN202011325360.0申请日：20201123公开号：CN112279223A公开日：20210129
摘要：本发明涉及一种细化h‑BN粉体的制备工艺，在高能球磨的基础上采用硬质颗粒c‑BN切削h‑BN晶粒的方式来细化微米级h‑BN粉体，而c‑BN在高温热压的环境下会转变为h‑BN，进而获得致密度高的h‑BN陶瓷。属于高温结构功能一体化陶瓷的技术领域，可适用于雷达的传递窗、天线罩材料、高温金属熔炼坩埚、热电偶保护管、散热片、核反应堆的结构材料等。本方法制备工艺简单，制备环境要求较低，可实现大规模产业化生产，能够达到高新技术领域的严格要求，具有更为广泛的用途。
申请人：山东硅纳新材料科技有限公司
地址：255000 山东省淄博市临淄区经济开发区金银谷创业园2号厂房
国籍：CN
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