采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200710064853.1 （22）申请日 2007.03.28

（71）申请人 中国科学院微电子研究所

地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

（10）申请公布号 CN100511596C

（43）申请公布日 2009.07.08

（72）发明人 刘亮;张海英;刘训春

（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 周国城

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法

（57）摘要

本发明公开了一种采用一次电子束曝

光制备晶体管T型纳米栅的方法，该方法包括：A.在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B.在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C.在所述第二层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，然后前烘；D.在所述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E.进行栅版电子束曝光；F.依次显影第四层电子束胶ZEP520A，

易于实现去胶和剥离的第三层电子束胶，第二层电子束胶ZEP520A和易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶；G.腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，可靠性强，工艺简单，剥离和去胶容易。 法律状态

法律状态公告日

2008-10-01 2008-10-01 2008-11-26 2008-11-26 2009-07-08 2009-07-08 2013-05-15 2013-05-15 2020-03-17

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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